一、貨物簡介
1、有機物特殊性:
- 手機輸入相電壓投資規模:2.7V-24V
- 輸出電壓電流面積:4.5V-24V
- 集成就了幾個18mΩ FET
- 可java開發啟閉最高值工作電流:15A
- 可變節電源開關頻率和次數:達2.2MHz
- 可供求根據中斷功效與作用的柵極控制器
- 自覺斷開跳閘無球作用與功效
- 打包封裝:QFN3.5x4.5-20L
2、巧用原理圖:
3、物質描述
PL32001是一位款24V發送到升壓轉換成器,原帶使用負載內阻閃斷的柵極推動器。它集變成5個低導通內阻的電功率場定律氯化鈉晶體管(FET):一位導通內阻為18mΩ的轉換開關FET和一位導通內阻為18mΩ的整流FET。 PL32001悅納自己自滿足固定關斷是最高值工作直流電值的樣式合理。它還具有一方面促使進展輕載效果的表面顯著作用。當讀取工作直流電值較低時,PL32001將開啟不持續保持導通的樣式(DCM)。PL32001的可設制的裝備擺置顯著作用主要包括可和程序編寫逐時間間隔工作直流電值皮膚返場、可和程序編寫按鈕次數功較和的樣式選用功較。 PL32001在關斷時會或將錄入端與錄入端斬斷。倘若錄入端存在斷路,它會滲入打嗝樣式下例降熱剪切力,但會在斷路區域消弭后可主動地規復。另,它還兼備過壓無球(OVP)和熱無球效果,慎防止凸顯病癥日常運轉。
4、經典故事進行處景
- 藍牙揚音器
- Thunderbolt接口標準
- 攜便式式信用卡刷卡機(POS)POS機終端
- 電子器件煙
5、打包封裝產品信息
6、管腳界說和好處描定
管腳好處描敘
序號 | 稱號 | 描寫 |
---|---|---|
1 | VCC | 外部穩壓器的輸入端,在該引腳與地之間須要一個大于4.7μF的陶瓷電容 |
2 | EN | 使能引腳。將其拉高以使集成電路開啟,不要讓該引腳處于懸空狀況 |
3 | FREQ | 開關頻次由該引腳與SW引腳之間的一個電阻停止設定。在現實利用中,該引腳不能懸空 |
4 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
5 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
6 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
7 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
8 | BST | 自舉引腳。在開關引腳(SW)和自舉引腳(BST)之間毗連一個0.1μF或容量更大的電容器,以便為高側柵極驅動器供電 |
9 | VIN | 輸入電源引腳。利用一個大容量電容將VIN引腳旁路至地(GND),并且最少還要利用一個0.1微法(μF)的陶瓷電容,以消弭輸入到集成電路(IC)的噪聲。將這些電容安排在接近VIN引腳和GND引腳的地位 |
10 | VCC | 外部穩壓器的輸入端,在該引腳與地之間須要一個大于4.7μF的陶瓷電容 |
11 | AGND | 摹擬地 |
12 | DISDRV | 這是外部斷開場效應晶體管(FET)的柵極驅動輸入引腳。將DISDRV引腳毗連到外部場效應晶體管的柵極。若是不利用負載斷開功效,則使該引腳懸空 |
13 | MODE | 這是操縱形式挑選引腳。有一個2兆歐的外部電阻將此引腳毗連到參考電壓(VREF)。當該引腳為邏輯高電日常平凡,啟用持續導通形式(CCM);為邏輯低電日常平凡,啟用不持續導通形式(DCM);若引腳懸空,則啟用超同步調制形式(USM) |
14 | VBUS | 升壓轉換器的輸入引腳,外部毗連到高壓側場效應晶體管(HSFET)的漏極 |
15 | VBUS | 升壓轉換器的輸入引腳,外部毗連到高壓側場效應晶體管(HSFET)的漏極 |
16 | VBUS | 升壓轉換器的輸入引腳,外部毗連到高壓側場效應晶體管(HSFET)的漏極 |
17 | FB | 反應輸入引腳。FB引腳用于檢測輸入電壓,經由過程一個毗連在輸入端和地之間的電阻分壓器與FB引腳相連。FB是一個敏感節點,應使FB引腳闊別開關引腳(SW)和自舉引腳(BST) |
18 | COMP | 這是外部偏差縮小器的輸入引腳。環路彌補收集需毗連至COMP引腳和摹擬地(AGND)引腳。COMP是一個敏感節點,要讓它闊別SW引腳和BST引腳 |
19 | ILIM | 可調節的高壓側場效應晶體管(LSFET)峰值電流限定。需毗連一個電阻到摹擬地(AGND) |
0 | PGND | 功率接地。高壓側場效應晶體管(LSFET)的源極外部毗連到功率地(PGND) |
二、學手藝文檔文件
范例 | 標題 | 上傳時候 | 文檔下載 |
乙酰乙酸規格參數書(英語翻譯) | PL32001_Datasheet_V1.0 | 2025/05/06 | PDF下載 |
三、憑借計劃表
序號 | 標題 |
1 |
智能窗簾利用計劃
|
1 |
無線充利用計劃
|